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Dayoo Advanced Ceramic Co.,Ltd
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Céramique d'aluminium de haute pureté avec une résistivité volumique de 10 4 Ohm*cm pour les applications dans les semi-conducteurs

Détails du produit

Lieu d'origine: Fabriqué en Chine, Zhejiang, Jinhua

Nom de marque: Dayoo

Certification: GB/T 19001-2016/ISO 9001:2015

Numéro de modèle: dépend du produit réel

Conditions de paiement et d'expédition

Quantité de commande min: tel que négocié et convenu

Prix: As Negotiated and Agreed

Détails d'emballage: Carton, caisse en bois

Délai de livraison: dépend du produit réel

Conditions de paiement: GOUSSET

Capacité d'approvisionnement: usine

Obtenez le meilleur prix
Mettre en évidence:

Ceramique à haute température en aluminium

,

Céramique d'aluminium personnalisée

,

Ceramique d'aluminium de type carré

Taille:
Personnalisé
Finition de surface:
Brillant
Forme:
Personnalisable
Propriétés:
isolation électrique
Le type:
boule de céramique
Application:
Céramique Industrielle
Coefficient de dilatation thermique:
8 x 10^-6 /K
Résistance à la traction:
250 MPA
Température de fonctionnement maximale:
1800°C
Contenu en alumine:
92% et 95%
Résistance à la flexion:
350 MPA
Température d'utilisation maximale:
1 400 ° C
Water Absorption:
0
Matériau:
≥95 % de poudre d'alumine
Taille:
Personnalisé
Finition de surface:
Brillant
Forme:
Personnalisable
Propriétés:
isolation électrique
Le type:
boule de céramique
Application:
Céramique Industrielle
Coefficient de dilatation thermique:
8 x 10^-6 /K
Résistance à la traction:
250 MPA
Température de fonctionnement maximale:
1800°C
Contenu en alumine:
92% et 95%
Résistance à la flexion:
350 MPA
Température d'utilisation maximale:
1 400 ° C
Water Absorption:
0
Matériau:
≥95 % de poudre d'alumine
Céramique d'aluminium de haute pureté avec une résistivité volumique de 10 4 Ohm*cm pour les applications dans les semi-conducteurs

Alumine céramique de haute pureté avec une résistivité volumique de 10^4 Ohm*cm pour applications semi-conductrices

 

Cette série de composants en céramique d'alumine spécifiques aux semi-conducteurs est fabriquée à partir de matériau Al₂O₃ de très haute pureté à 99,6 % par des procédés de coulée en bande de précision et de frittage à haute température. Les produits présentent une excellente isolation, une résistance à la corrosion et une stabilité dimensionnelle, répondant aux exigences de propreté de la norme SEMI F47.

Applications principales dans les semi-conducteurs

  • Fabrication de plaquettes : pièces céramiques de machines de gravure, fours de diffusion

  • Emballage et test : substrats de cartes de sondes, douilles de test

  • Composants d'équipement : effecteurs d'extrémité de robot

  • Systèmes de vide : bases de mandrins électrostatiques

  • Inspection optique : guides céramiques de machines de lithographie

Avantages du produit

Ultra-propre : teneur en ions métalliques <0,1 ppmDimensions de précision : tolérance ±0,05 mm/100 mmRésistance au plasma : taux de gravure <0,1 µm/h
Faible dégazage : TML <0,1 % CVCM <0,01 %Haute fiabilité : passe 1000 cycles thermiques
Spécifications techniquesParamètreSpécificationNorme de test

Pureté du matériau

Al₂O₃≥95% GDMS Résistivité volumique
>10¹⁴Ω·cm ASTM D257 Constante diélectrique
9,8@1MHz IEC 60250 Résistance à la flexion
≥400 MPa ISO 14704 CTE
7,2×10⁻⁶/°C DIN 51045 Rugosité de surface
Ra≤0,1 µm ISO 4287 Dégazage
TML <0,1% ASTM E595
Processus de fabrication de semi-conducteurs Préparation du matériau : poudre d'Al₂O₃ de qualité nanométrique (D50≤0,5 µm)Broyage à billes de haute pureté (auxiliaires de frittage Y₂O₃-MgO) Processus de mise en forme : coulée en bande (épaisseur 0,1-5 mm)

Pressage isostatique (200 MPa)

  1. Contrôle du frittage : frittage atmosphérique multi-étapes (1600°C/H₂)

    • Post-traitement HIP (1500°C/150 MPa)

    • Usinage de précision : traitement laser (±5 µm)

  2. Perçage ultrasonique (rapport d'aspect 10:1)

    • Nettoyage et inspection : nettoyage méga-sonique (salle blanche classe 1)

    • Test de particules SEMI F47

  3. Directives d'utilisation

    • Stockage : emballage propre classe 100

    • Environnement d'installation : 23±1°C RH45±5%

  4. Nettoyage : solvants de qualité semi-conducteur uniquement

    • Manipulation : éviter le contact direct avec les surfaces fonctionnelles

    • Services pour semi-conducteurs

  5. Vérification de la propreté : rapports de test VDA19

    • Analyse des défaillances : microanalyse SEM/EDS

    • Développement personnalisé : co-conception DFM

FAQ

Q : Comment assurer la propreté de la surface de contact de la plaquette ?
R : Triple protection : activation de surface par plasma, emballage sous vide + stockage N₂, nettoyage à l'air ionisé avant installation
Q : Performance en plasma à base de fluor ?
R : Version spécialement traitée : taux de gravure <0,05 µm/h, couche de passivation AlF₃, durée de vie 3 fois plus longue

Q : Taille maximale traitable ?

  • R : Standard 200×200 mm, traitement spécial jusqu'à 400×400 mm.










 

Céramique d'aluminium de haute pureté avec une résistivité volumique de 10 4 Ohm*cm pour les applications dans les semi-conducteursCéramique d'aluminium de haute pureté avec une résistivité volumique de 10 4 Ohm*cm pour les applications dans les semi-conducteursCéramique d'aluminium de haute pureté avec une résistivité volumique de 10 4 Ohm*cm pour les applications dans les semi-conducteursCéramique d'aluminium de haute pureté avec une résistivité volumique de 10 4 Ohm*cm pour les applications dans les semi-conducteurs