Détails du produit
Lieu d'origine: Fabriqué en Chine
Nom de marque: Dayoo
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min: Négociable
Prix: Négociable
Délai de livraison: Négociable
Conditions de paiement: Négociable
Forme: |
Une buse |
Durabilité: |
Longue durée |
Résistance à la température: |
Jusqu'à 1600 °C |
Résistance chimique: |
Très résistant aux acides, aux alcalis et à d'autres substances corrosives |
résistance aux chocs thermiques: |
C' est très bien. |
Isolation électrique: |
élevé |
Précision: |
élevé |
Résistance à la pression: |
Haut |
Couleur: |
Blanc |
Résistance à la corrosion: |
Excellent |
Dureté: |
Très élevé |
Taille: |
Différentes tailles disponibles |
Matériel: |
Céramique |
Résistance à l'abrasion: |
Excellent |
Se résistance à l'usure: |
Excellent |
Forme: |
Une buse |
Durabilité: |
Longue durée |
Résistance à la température: |
Jusqu'à 1600 °C |
Résistance chimique: |
Très résistant aux acides, aux alcalis et à d'autres substances corrosives |
résistance aux chocs thermiques: |
C' est très bien. |
Isolation électrique: |
élevé |
Précision: |
élevé |
Résistance à la pression: |
Haut |
Couleur: |
Blanc |
Résistance à la corrosion: |
Excellent |
Dureté: |
Très élevé |
Taille: |
Différentes tailles disponibles |
Matériel: |
Céramique |
Résistance à l'abrasion: |
Excellent |
Se résistance à l'usure: |
Excellent |
Buses en céramique résistantes aux hautes températures pour des températures de processus de 1200 °C dans l'industrie des LED
Spécialement développé pour les processus de fabrication de LED, ce produit est fabriqué à partir de nitrure de silicium (Si₃N₄) de haute pureté à 99,8 % grâce à un frittage précis par pression de gaz. Offrant une propreté ultra-élevée, une résistance aux hautes températures et une résistance à la corrosion pour répondre aux exigences strictes des équipements MOCVD.
Équipement MOCVD : distribution précise de la source MO et du gaz NH₃
Croissance épitaxiale : injection uniforme de gaz dans les chambres de réaction
Fabrication de puces : systèmes de distribution de gaz de protection
Processus d'encapsulation : atomisation par pulvérisation de phosphore
Équipement de test : contrôle du gaz par inspection optique
✓ Propreté ultra-élevée : teneur en ions métalliques <1 ppm
✓ Résistance aux hautes températures : résiste à des températures de processus de 1200 °C✓ Zéro contamination gazeuse : aucune émission de particules
✓ Contrôle précis du débit : précision du débit de ±1 %
✓ Durée de vie prolongée : supporte plus de 5000 cycles thermiques
Paramètres spécifiques aux LED
| Spécification | Norme de test | Pureté du matériau |
|---|---|---|
| Si₃N₄≥99,8 % | GDMS | Émission de particules |
| ≤5 particules/pi³ (≥0,1 µm) | SEMI F24 | Rugosité de surface |
| Ra≤0,05 µm | ISO 4287 | Déformation thermique |
| ≤0,01 mm à 1000 °C | ASTM E228 | Tolérance d'alésage |
| ±0,005 mm | VDI/VDE 2617 | Adsorption de gaz |
| ≤0,01 % | DIN 1343 | Processus de fabrication propre |
Poudre nano (D50≤0,3 µm)
Broyage à boulets sans poussière (salle blanche de classe 10)
Mise en forme et frittage :
Pressage isostatique (200 MPa)
Frittage ultra-propre (environnement de classe 100)
Post-traitement :
Nettoyage au plasma (décontamination de surface)
Nettoyage à l'eau DI par ultrasons
Emballage :
Emballage sous vide double
Sacs propres ISO Classe 4
Consignes d'utilisation
⚠ Contrôle du gaz : utiliser des gaz de haute pureté à 99,999 %
⚠ Gestion de la température : vitesse de chauffage ≤5 °C/min
⚠ Maintenance : test de fuite à l'hélium toutes les 500 heures
Services spécialisés
Tests de propreté : test gratuit d'émission de particules
Réponse rapide : assistance technique en 12 heures
Optimisation des processus : simulation du champ d'écoulement des gaz
FAQ
R : Trois mesures de protection :
① Passivation de la surface en Si
② Emballage propre de classe 100
③ Nettoyage au plasma avant l'installation
Q : Comment gérer l'obstruction des buses ?
R : Recommandé :
• Nettoyage aux ultrasons de 200 W + eau DI
• Pas de nettoyage mécanique à la tige
• Service de nettoyage professionnel disponible
Q : Compatibilité avec différentes couches épitaxiales ?
R : Options personnalisables :
Structures matricielles à trous multiples
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Conceptions de tailles d'alésage graduelles
Configurations d'angle spéciales