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Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications

Détails du produit

Lieu d'origine: CN

Nom de marque: Dayoo

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Quantité de commande min: Personnalisé

Prix: CNY

Détails d'emballage: Emballer

Délai de livraison: 60 jours ouvrables

Capacité d'approvisionnement: Usine

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Description du produit

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Haute conductivité thermique:	Oui	Résistance aux chocs thermiques:	Bien
Température maximale:	1380 ℃	Résistance à la flexion:	MPA 280
Pureté:	98%	Résistance à la compression:	> 2 GPa

Haute conductivité thermique:	Oui
Résistance aux chocs thermiques:	Bien
Température maximale:	1380 ℃
Résistance à la flexion:	MPA 280
Pureté:	98%
Résistance à la compression:	> 2 GPa

Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications

Diamond-shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier | Precision Hollow SiC Ceramic Support Plate Product Introduction This product is a Diamond-shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier, manufactured from high-purity silicon carbide (SiC) ceramic raw materials. It features an overall diamond outline with multi-layer annular radial hollow structure in the center. Fabricated via atmospheric pressure high-temperature sintering and precision machining, it boasts

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